Pojemność dysku: 4 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (max): 14800 MB/s
Prędkość zapisu (max): 13400 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0
Odczyt losowy: 2200000 IOPS
Zapis losowy: 2600000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Parametry:
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Odczyt losowy:
2200000 IOPS
Prędkość odczytu (max):
14800 MB/s
Prędkość zapisu (max):
13400 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
2400.0
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ kości pamięci:
V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
2600000 IOPS
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
